美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA。 美国KRI考夫曼离子源 KDC 75 技术参数如下： 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. 型号 | KDC 75 / KDC 75L(低电流输出) | 供电 | DC magnetic confinement | - 阴极灯丝 | 2 | - 阳极电压 | 0-100V DC | 电子束 | OptiBeam™ | - 栅极 | 专用, 自对准 | -栅极直径 | 7.5 cm | 中和器 | 灯丝 | 电源控制 | KSC 1212 或 KSC 1202 | 配置 | - | - 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 | - 安装 | 移动或快速法兰 | - 高度 | 7.9' | - 直径 | 5.5' | - 离子束 | 聚焦
平行
散设 | -加工材料 | 金属
电介质
半导体 | -工艺气体 | 惰性
活性
混合 | -安装距离 | 6-24" | - 自动控制 | 控制4种气体 |
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD 表面改性, 激活 SM 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE KRi KDC 考夫曼离子源典型案例: 设备: e-beam 电子束蒸发系统 离子源型号: KDC 75 应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜) 离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积 东莞市广联自动化科技有限公司专业供应进口电磁阀、气缸、泵、传感器、继电器、开关、离合器、过滤器、滤芯、流量计、液位计、编码器、伺服阀等产品。德国美国有公司，厂家一手货源，详请致电。
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